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HP8K22TB

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
HP8K22TB
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 30V 27A,57A 25W 表面贴装型 8-HSOP
规格说明书:
HP8K22TB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 -
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A,57A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1080pF @ 15V
功率 - 最大值 25W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-HSOP
标准包装 2,500

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies ¥8.37000 类似

价格库存

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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.88408 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥11.836759 ¥11.84
10+ ¥10.569778 ¥105.70
100+ ¥8.237489 ¥823.75
500+ ¥6.805067 ¥3402.53
1000+ ¥5.372496 ¥5372.50
2500+ ¥5.014322 ¥12535.81
5000+ ¥4.88408 ¥24420.40

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