IPD60R1K4C6
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IPD60R1K4C6
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- CoolMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 600 V 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
- 规格说明书:
- IPD60R1K4C6说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.4 欧姆 @ 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 90µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.4 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 200 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 28.4W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STD5N60M2 | STMicroelectronics | ¥13.36000 | 类似 |
STD6N65M2 | STMicroelectronics | ¥11.37000 | 类似 |
STD7N60M2 | STMicroelectronics | ¥13.59000 | 类似 |
AOD7N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥9.06000 | 类似 |
STD6N62K3 | STMicroelectronics | ¥14.59000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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