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IXT-1-1N100S1-TR

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制造商编号:
IXT-1-1N100S1-TR
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
详细描述:
- N 通道 1000 V 1.5A(Tc) - -
规格说明书:
IXT-1-1N100S1-TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -
安装类型 -
供应商器件封装 -
封装/外壳 -
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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