在线客服 
SI4554DY-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI4554DY-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 8A 3.1W，3.2W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书：
- SI4554DY-T1-GE3说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 6.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 690pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W，3.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.151015 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.833149 | ￥7.83 |
| 10+ | ￥6.931715 | ￥69.32 |
| 100+ | ￥5.314729 | ￥531.47 |
| 500+ | ￥4.201353 | ￥2100.68 |
| 1000+ | ￥3.361092 | ￥3361.09 |
| 2500+ | ￥3.151015 | ￥7877.54 |
