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BSC021N08NS5ATMA1
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- 制造商编号：
- BSC021N08NS5ATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™, StrongIRFET™
- 描述：
- MOSFET TRENCH 80V TSON-8
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 80 V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TSON-8-3
- 规格说明书：
- BSC021N08NS5ATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™, StrongIRFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 146µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8600 pF @ 40 V |
| FET 功能 | 标准 |
| 功率耗散（最大值） | 214W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TSON-8-3 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥31.147361 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥49.56021 | ￥49.56 |
| 10+ | ￥44.477367 | ￥444.77 |
| 100+ | ￥36.442048 | ￥3644.20 |
| 500+ | ￥31.147361 | ￥15573.68 |
| 5000+ | ￥31.147361 | ￥155736.80 |
