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EPC2010C

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制造商编号:
EPC2010C
制造商:
EPC
系列:
eGaN®
描述:
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 22A(Ta) - 模具剖面(7 焊条)
规格说明书:
EPC2010C说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 EPC
系列 eGaN®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 22A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 12A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.3 nC @ 5 V
Vgs(最大值) +6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 540 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 模具剖面(7 焊条)
封装/外壳 模具
标准包装 2,500

价格库存

库存
9491
货期
大陆:7~10天
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥32.226346 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥62.640326 ¥62.64
10+ ¥56.240767 ¥562.41
100+ ¥46.083162 ¥4608.32
500+ ¥39.230201 ¥19615.10
1000+ ¥33.085717 ¥33085.72
2500+ ¥32.226346 ¥80565.87

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