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FDMD8680

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制造商编号:
FDMD8680
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 80V 66A(Tc) 39W 表面贴装型 8-Power 5x6
规格说明书:
FDMD8680说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 66A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.7 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 73nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5330pF @ 40V
功率 - 最大值 39W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerWDFN
供应商器件封装 8-Power 5x6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥23.696383 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥39.439284 ¥39.44
10+ ¥35.454325 ¥354.54
100+ ¥29.04482 ¥2904.48
500+ ¥24.725571 ¥12362.79
1000+ ¥23.696445 ¥23696.44
3000+ ¥23.696383 ¥71089.15

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