FDMD8680
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- 制造商编号:
- FDMD8680
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 80V 66A(Tc) 39W 表面贴装型 8-Power 5x6
- 规格说明书:
- FDMD8680说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 80V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 66A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.7 毫欧 @ 16A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 73nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5330pF @ 40V |
功率 - 最大值 | 39W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装 | 8-Power 5x6 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥23.696383 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥39.439284 | ¥39.44 |
10+ | ¥35.454325 | ¥354.54 |
100+ | ¥29.04482 | ¥2904.48 |
500+ | ¥24.725571 | ¥12362.79 |
1000+ | ¥23.696445 | ¥23696.44 |
3000+ | ¥23.696383 | ¥71089.15 |