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APTMC120AM09CT3AG

Microchip photo

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制造商编号:
APTMC120AM09CT3AG
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(相角) 1200V(1.2kV) 295A(Tc) 1250W 底座安装 SP3
规格说明书:
APTMC120AM09CT3AG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(相角)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 295A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9 毫欧 @ 200A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 40mA(标准)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 644nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 11000pF @ 1000V
功率 - 最大值 1250W
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP3
供应商器件封装 SP3
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10424.464245 ¥10424.46

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