SPB20N60S5ATMA1
![Infineon photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Infineon Technologies.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Infineon/A9QKZhfl.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Infineon/A9QKZhfl.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SPB20N60S5ATMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- CoolMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 600 V 20A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
- 规格说明书:
- SPB20N60S5ATMA1说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 190 毫欧 @ 13A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 103 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3000 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 208W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥26.65000 | 类似 |
STB24NM60N | STMicroelectronics | ¥52.84000 | 类似 |
R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥21.73000 | 类似 |
R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | ¥24.42000 | 类似 |
FCB199N65S3 | onsemi | ¥20.58000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |