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FQD20N06LTM

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制造商编号:
FQD20N06LTM
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 60 V 17.2A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) TO-252AA
规格说明书:
FQD20N06LTM说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 8.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 630 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),38W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
AOD444 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥5.15000 类似

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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
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