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IRFH5250DTRPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRFH5250DTRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 25V 40A/100A 8PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 25 V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
- 规格说明书：
- IRFH5250DTRPBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 83 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6115 pF @ 13 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），156W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 4,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CSD17556Q5BT | Texas Instruments | ¥24.11000 | 类似 |
| CSD16401Q5 | Texas Instruments | ¥22.12000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥10.958352 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.383936 | ￥19.38 |
| 10+ | ￥17.426892 | ￥174.27 |
| 100+ | ￥14.004427 | ￥1400.44 |
| 500+ | ￥11.506274 | ￥5753.14 |
| 1000+ | ￥10.958352 | ￥10958.35 |
| 4000+ | ￥10.958352 | ￥43833.41 |
