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IRF7907TRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRF7907TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 9.1A,11A 2W 表面贴装型 8-SO
规格说明书:
IRF7907TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.1A,11A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 16.4 毫欧 @ 9.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 850pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
标准包装 4,000

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型号 品牌 参考价格 说明
STS10DN3LH5 STMicroelectronics ¥9.37000 类似

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标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.609512 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.080116 ¥13.08
10+ ¥11.697503 ¥116.98
100+ ¥9.12077 ¥912.08
500+ ¥7.534768 ¥3767.38
1000+ ¥6.609499 ¥6609.50
4000+ ¥6.609512 ¥26438.05

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