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DMN2400UFDQ-13
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- 制造商编号：
- DMN2400UFDQ-13
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 20 V 900mA（Ta） 400mW（Ta） U-DFN1212-3（C 类）
- 规格说明书：
- DMN2400UFDQ-13说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 最后售卖 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 900mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 37 pF @ 16 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | U-DFN1212-3（C 类） |
| 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
| 标准包装 | 10,000 |
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- 标准包装
- 10,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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