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BSB013NE2LXIXUMA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSB013NE2LXIXUMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 25 V 36A(Ta),163A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M™
规格说明书:
BSB013NE2LXIXUMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 最后售卖
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 36A(Ta),163A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.3 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 62 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4400 pF @ 12 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),57W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 MG-WDSON-2,CanPAK M™
封装/外壳 3-WDSON
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IRF6717MTRPBF Infineon Technologies ¥25.50000 MFR Recommended

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥12.604581 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥22.343125 ¥22.34
10+ ¥20.042915 ¥200.43
100+ ¥16.109058 ¥1610.91
500+ ¥13.234814 ¥6617.41
1000+ ¥12.604581 ¥12604.58
5000+ ¥12.604581 ¥63022.90

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