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ZXMD65P03N8TA

Diodes photo

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制造商编号:
ZXMD65P03N8TA
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 3.8A 1.25W 表面贴装型 8-SO
规格说明书:
ZXMD65P03N8TA说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 55 毫欧 @ 4.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 930pF @ 25V
功率 - 最大值 1.25W
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
标准包装 500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
500 / PCS
包装
剪切带(CT)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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