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FDS9934C

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制造商编号:
FDS9934C
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 6.5A,5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
FDS9934C说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A,5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 650pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
IRF7317TRPBF Infineon Technologies ¥9.06000 类似

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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.389697 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.076506 ¥9.08
10+ ¥8.135285 ¥81.35
100+ ¥6.34597 ¥634.60
500+ ¥5.24254 ¥2621.27
1000+ ¥4.389659 ¥4389.66
2500+ ¥4.389697 ¥10974.24

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