您好,欢迎来到壹方微芯!

FQB34N20TM-AM002

ON photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
FQB34N20TM-AM002
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 31A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) D²PAK(TO-263)
规格说明书:
FQB34N20TM-AM002说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 75 毫欧 @ 15.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 78 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3100 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),180W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK(TO-263)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥19.379746 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
800+ ¥19.379746 ¥15503.80

相关产品