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STD11N65M5
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- 制造商编号：
- STD11N65M5
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ V
- 描述：
- MOSFET N CH 650V 9A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 9A（Tc） 85W（Tc） DPAK
- 规格说明书：
- STD11N65M5说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ V |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 85W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TK10P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥22.19000 | 类似 |
| AOD11S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥17.97000 | 类似 |
| IXTY8N65X2 | IXYS | ¥22.42000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.203564 | ￥18.20 |
| 10+ | ￥16.343313 | ￥163.43 |
| 100+ | ￥13.134949 | ￥1313.49 |
| 500+ | ￥10.791237 | ￥5395.62 |
| 1000+ | ￥9.810296 | ￥9810.30 |
| 2500+ | ￥9.810296 | ￥24525.74 |
