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RGT50NS65DGTL

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
RGT50NS65DGTL
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
IGBT
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 48 A 194 W 表面贴装型 LPDS
规格说明书:
RGT50NS65DGTL说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 48 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,25A
功率 - 最大值 194 W
开关能量 -
输入类型 标准
栅极电荷 49 nC
25°C 时 Td(开/关)值 27ns/88ns
测试条件 400V,25A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 58 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 LPDS
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥25.555661 ¥25.56
10+ ¥22.969319 ¥229.69
100+ ¥18.817721 ¥1881.77
500+ ¥16.019045 ¥8009.52
1000+ ¥13.655728 ¥13655.73

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