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SQJB68EP-T1_GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SQJB68EP-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
描述:
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 11A(Tc) 27W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
规格说明书:
SQJB68EP-T1_GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 92 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 280pF @ 25V
功率 - 最大值 27W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 双
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.016293 ¥9.02
10+ ¥8.045132 ¥80.45
100+ ¥6.269458 ¥626.95
500+ ¥5.17941 ¥2589.70
1000+ ¥4.089043 ¥4089.04
3000+ ¥4.088986 ¥12266.96

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