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US6J11TR

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
US6J11TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 12V 1.3A 320mW 表面贴装型 TUMT6
规格说明书:
US6J11TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 290pF @ 6V
功率 - 最大值 320mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装 TUMT6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥5.334545 ¥5.33
10+ ¥4.551461 ¥45.51
100+ ¥3.397353 ¥339.74
500+ ¥2.669187 ¥1334.59
1000+ ¥2.062554 ¥2062.55
3000+ ¥1.880564 ¥5641.69
6000+ ¥1.759237 ¥10555.42

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