SI7942DP-T1-E3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI7942DP-T1-E3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 100V 3.8A 1.4W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
- 规格说明书:
- SI7942DP-T1-E3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 49 毫欧 @ 5.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - |
功率 - 最大值 | 1.4W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥26.695521 | ¥26.70 |
10+ | ¥23.995193 | ¥239.95 |
100+ | ¥19.661673 | ¥1966.17 |
500+ | ¥16.737795 | ¥8368.90 |
1000+ | ¥15.124586 | ¥15124.59 |
3000+ | ¥15.124529 | ¥45373.59 |