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STGW60V60F

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制造商编号:
STGW60V60F
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 600V 80A 375W TO247
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 80 A 375 W 通孔 TO-247-3
规格说明书:
STGW60V60F说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值 375 W
开关能量 750µJ(开),550µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 334 nC
25°C 时 Td(开/关)值 60ns/208ns
测试条件 400V,60A,4.7 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
标准包装 30

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IHW40N60RFFKSA1 Infineon Technologies ¥26.31625 类似
IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies ¥26.11529 类似
AOK40B60D1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥33.25000 类似
IKW50N60TFKSA1 Rochester Electronics, LLC ¥52.61000 类似
FGH40N60UFDTU onsemi ¥37.48000 类似

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥35.958108 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥57.679331 ¥57.68
10+ ¥51.839283 ¥518.39
100+ ¥42.471956 ¥4247.20
500+ ¥36.155379 ¥18077.69
1000+ ¥35.958108 ¥35958.11

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