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SQM120N06-06_GE3
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- 制造商编号：
- SQM120N06-06_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 120A TO263
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D²Pak）
- 规格说明书：
- SQM120N06-06_GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 145 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6495 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D²Pak） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BUK6607-55C,118 | Nexperia USA Inc. | ¥14.36000 | 类似 |
| IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies | ¥24.50000 | 类似 |
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | ¥28.03000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.957689 | ￥26.96 |
| 10+ | ￥24.204927 | ￥242.05 |
| 100+ | ￥19.828891 | ￥1982.89 |
| 800+ | ￥16.88005 | ￥13504.04 |
| 1600+ | ￥15.253105 | ￥24404.97 |
