IMW65R072M1HXKSA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IMW65R072M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 详细描述:
- - 26A(Tc) -
- 规格说明书:
- IMW65R072M1HXKSA1说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | - |
技术 | - |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - |
Vgs(最大值) | - |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | - |
工作温度 | - |
标准包装 | 30 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥121.759845 | ¥121.76 |
10+ | ¥111.898916 | ¥1118.99 |
100+ | ¥96.634139 | ¥9663.41 |