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IMW65R072M1HXKSA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IMW65R072M1HXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 详细描述：
- - 26A（Tc） -
- 规格说明书：
- IMW65R072M1HXKSA1说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | - |
| 技术 | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | - |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 30 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥105.408325 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥132.815395 | ￥132.82 |
| 10+ | ￥122.059113 | ￥1220.59 |
| 100+ | ￥105.408325 | ￥10540.83 |
