TK39N60X,S1F
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- 制造商编号:
- TK39N60X,S1F
- 制造商:
- Toshiba东芝
- 系列:
- DTMOSIV-H
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 600 V 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-247
- 规格说明书:
- TK39N60X,S1F说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Toshiba(东芝) |
系列 | DTMOSIV-H |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 65 毫欧 @ 12.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1.9mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 85 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4100 pF @ 300 V |
FET 功能 | 超级结 |
功率耗散(最大值) | 270W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | ¥143.54000 | 类似 |
STW58N60DM2AG | STMicroelectronics | ¥88.17000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥37.568529 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥65.599515 | ¥65.60 |
10+ | ¥59.229797 | ¥592.30 |
100+ | ¥49.039119 | ¥4903.91 |
500+ | ¥42.702947 | ¥21351.47 |
1000+ | ¥37.568529 | ¥37568.53 |