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STW56N65DM2
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- 制造商编号：
- STW56N65DM2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ DM2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 48A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 48A（Tc） 360W（Tc） TO-247-3
- 规格说明书：
- STW56N65DM2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ DM2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 48A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 24A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 88 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4100 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 360W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | ¥96.76000 | 类似 |
| TPH3205WSBQA | Transphorm | ¥176.40000 | 类似 |
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