PSMN040-200W,127
![NXP photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/NXP.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/NXP/9zdJCGEL.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/NXP/9zdJCGEL.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- PSMN040-200W,127
- 制造商:
- NXP恩智浦
- 系列:
- TrenchMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 200 V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247
- 规格说明书:
- PSMN040-200W,127说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | NXP(恩智浦) |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 183 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 9530 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 300W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IXFH70N20Q3 | IXYS | ¥102.07000 | 类似 |
RCX510N25 | Rohm Semiconductor | ¥34.02000 | 直接 |
IRFP260MPBF | Infineon Technologies | ¥24.88000 | 直接 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |
相关产品
P51-75-S-F-P-4.5V-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述:SENSOR 75PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
价格:¥1177.972359
P51-100-S-J-I36-5V-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述:SENSOR 100PSIS 3/8 UNF 5V 36"
价格:¥1244.002169
P51-200-S-J-M12-20MA-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述:SENSOR 200PSIS 3/8 UNF 4-20 MA
价格:¥1305.917085