您好,欢迎来到壹方微芯!

SI7956DP-T1-E3

Vishay photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
SI7956DP-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 150V 2.6A 1.4W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
规格说明书:
SI7956DP-T1-E3说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 105 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 1.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 双
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥17.961535 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥31.705604 ¥31.71
10+ ¥28.503959 ¥285.04
100+ ¥23.349996 ¥2335.00
500+ ¥19.877424 ¥9938.71
1000+ ¥17.961535 ¥17961.53
3000+ ¥17.961535 ¥53884.61

相关产品