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AIHD10N60RFATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
AIHD10N60RFATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IC DISCRETE 600V TO252-3
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 20 A 150 W 表面贴装型 PG-TO252-3-313
规格说明书:
AIHD10N60RFATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.5V @ 15V,10A
功率 - 最大值 150 W
开关能量 190µJ(开),160µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 64 nC
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/168ns
测试条件 400V,10A,26 欧姆,15V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
标准包装 2,500

价格库存

库存
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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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