您好,欢迎来到壹方微芯!

SIA456DJ-T1-GE3

Vishay photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
SIA456DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 2.6A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6
规格说明书:
SIA456DJ-T1-GE3说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.38 欧姆 @ 750mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 350 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),19W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.253872 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.362478 ¥9.36
10+ ¥8.364063 ¥83.64
100+ ¥6.522651 ¥652.27
500+ ¥5.388237 ¥2694.12
1000+ ¥4.253872 ¥4253.87
3000+ ¥4.253872 ¥12761.62

相关产品