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STP110N8F6
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- 制造商编号：
- STP110N8F6
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ F6
- 描述：
- MOSFET N-CH 80V 110A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 80 V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP110N8F6说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ F6 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9130 pF @ 40 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CSD19531KCS | Texas Instruments | ¥17.97000 | 类似 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥8.914658 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.524215 | ￥16.52 |
| 10+ | ￥14.848169 | ￥148.48 |
| 100+ | ￥11.935606 | ￥1193.56 |
| 500+ | ￥9.806108 | ￥4903.05 |
| 1000+ | ￥8.914658 | ￥8914.66 |
