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SI7485DP-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SI7485DP-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
详细描述:
表面贴装型 P 通道 20 V 12.5A(Ta) PowerPAK® SO-8
规格说明书:
SI7485DP-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态 停产
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.3 毫欧 @ 20A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 150 nC @ 5 V
FET 功能 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
剪切带(CT)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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