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STF11N65K3
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- 制造商编号：
- STF11N65K3
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- SuperMESH3™
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 11A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
- 规格说明书：
- STF11N65K3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | SuperMESH3™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1180 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPA65R660CFDXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥10.73430 | 类似 |
| R6007ENX | Rohm Semiconductor | ¥17.20000 | 类似 |
| IPAN60R800CEXKSA1 | Infineon Technologies | ¥10.60000 | 类似 |
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- 包装
- 管件
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