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FF8MR12W2M1B11BOMA1

Infineon photo

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制造商编号:
FF8MR12W2M1B11BOMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolSiC™+
描述:
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 1200V(1.2kV) 150A(Tj) 20mW(Tc) 底座安装 AG-EASY2BM-2
规格说明书:
FF8MR12W2M1B11BOMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolSiC™+
包装 托盘
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 150A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 毫欧 @ 150A,15V(标准)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.55V @ 60mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 372nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 11000pF @ 800V
功率 - 最大值 20mW(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 AG-EASY2BM-2
标准包装 15

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
15 / PCS
包装
托盘
单价:¥2712.358428 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥2712.358428 ¥2712.36

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