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SIHW33N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHW33N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AD
- 规格说明书：
- SIHW33N60E-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 99 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3508 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 278W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 标准包装 | 480 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFR64N60Q3 | IXYS | ¥321.25000 | 类似 |
| FCH104N60 | Rochester Electronics, LLC | ¥15.31185 | 类似 |
| FCH25N60N | onsemi | ¥55.45000 | 类似 |
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | ¥51.92000 | 类似 |
| AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥52.53000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 480 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥37.813744 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥66.842872 | ￥66.84 |
| 10+ | ￥59.995705 | ￥599.96 |
| 100+ | ￥49.15786 | ￥4915.79 |
| 500+ | ￥41.847219 | ￥20923.61 |
| 1000+ | ￥37.813744 | ￥37813.74 |
