SI5515CDC-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI5515CDC-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 4A 3.1W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™
- 规格说明书:
- SI5515CDC-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 36 毫欧 @ 6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11.3nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 632pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥7.614265 | ¥7.61 |
10+ | ¥6.670461 | ¥66.70 |
100+ | ¥5.11592 | ¥511.59 |
500+ | ¥4.044383 | ¥2022.19 |
1000+ | ¥3.235504 | ¥3235.50 |
3000+ | ¥3.033281 | ¥9099.84 |