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    APT12F60K

    Microsemi photo

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    制造商编号：
    APT12F60K
    制造商：
    Microsemi美高森美
    系列：
    -
    描述：
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220
    详细描述：
    通孔 N 通道 600 V 12A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
    规格说明书：
    APT12F60K说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Microsemi(美高森美)
    系列 -
    包装 管件
    零件状态 在售
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 600 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 620 毫欧 @ 6A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 500µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 55 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±30V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2200 pF @ 25 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 225W（Tc）
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 通孔
    供应商器件封装 TO-220 [K]
    封装/外壳 TO-220-3
    标准包装 50

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    0
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    标准包装
    50 / PCS
    包装
    管件
    单价：￥0 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
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