IXFP36N20X3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IXFP36N20X3
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- HiPerFET™, Ultra X3
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 36A TO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 200 V 36A(Tc) 176W(Tc) TO-220-3
- 规格说明书:
- IXFP36N20X3说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | HiPerFET™, Ultra X3 |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 45 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 500µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1425 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 176W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥40.088876 | ¥40.09 |
10+ | ¥36.038954 | ¥360.39 |
100+ | ¥29.526364 | ¥2952.64 |
500+ | ¥25.135281 | ¥12567.64 |
1000+ | ¥21.198467 | ¥21198.47 |
2000+ | ¥20.647857 | ¥41295.71 |