SI4108DY-T1-GE3
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- 制造商编号:
- SI4108DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 75 V 20.5A(Tc) 8-SOIC
- 规格说明书:
- SI4108DY-T1-GE3说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | - |
包装 | 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20.5A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9.8 毫欧 @ 13.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 54 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2100 pF @ 38 V |
FET 功能 | - |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 剪切带(CT)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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