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NTTFS4C08NTWG
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- 制造商编号：
- NTTFS4C08NTWG
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 9.3A（Ta） 820mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- NTTFS4C08NTWG说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 最后售卖 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1113 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 820mW（Ta），25.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.38000 | 类似 |
| RQ3E150GNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.30000 | 类似 |
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.161509 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 5000+ | ￥3.161509 | ￥15807.55 |
