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IXFH30N85X

IXYS photo

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制造商编号:
IXFH30N85X
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™, Ultra X
描述:
MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD
详细描述:
通孔 N 通道 850 V 30A(Tc) 695W(Tc) TO-247(IXTH)
规格说明书:
IXFH30N85X说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™, Ultra X
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 220 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2460 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 695W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥78.728507 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥121.277042 ¥121.28
10+ ¥111.425924 ¥1114.26
100+ ¥94.106583 ¥9410.66
500+ ¥83.71468 ¥41857.34
1000+ ¥78.728507 ¥78728.51

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