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HN3C10FUTE85LF

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制造商编号:
HN3C10FUTE85LF
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
详细描述:
RF 晶体管 2 NPN(双) 12V 80mA 7GHz 200mW 表面贴装型 US6
规格说明书:
HN3C10FUTE85LF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
晶体管类型 2 NPN(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
频率 - 跃迁 7GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.1dB @ 1GHz
增益 11.5dB
功率 - 最大值 200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80mA
工作温度 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 US6
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies ¥6.37000 类似

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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.901398 ¥4.90
10+ ¥4.193545 ¥41.94
100+ ¥3.130512 ¥313.05

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