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IXFH58N20

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制造商编号:
IXFH58N20
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™
描述:
MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD
详细描述:
通孔 N 通道 200 V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
规格说明书:
IXFH58N20说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™
包装 管件
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 220 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4400 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AD(IXFH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

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型号 品牌 参考价格 说明
IRFP260MPBF Infineon Technologies ¥24.88000 类似

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