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SIR826BDP-T1-RE3
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- 制造商编号：
- SIR826BDP-T1-RE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 80 V 19.8A（Ta），80.8A（Tc） 5W（Ta），83W（Tc） PowerPAK® SO-8
- 规格说明书：
- SIR826BDP-T1-RE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19.8A（Ta），80.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 69 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3030 pF @ 40 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.22853 | ￥15.23 |
| 10+ | ￥13.638425 | ￥136.38 |
| 100+ | ￥10.630448 | ￥1063.04 |
| 500+ | ￥8.781687 | ￥4390.84 |
| 1000+ | ￥6.932913 | ￥6932.91 |
| 3000+ | ￥6.932913 | ￥20798.74 |
