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VT6M1T2CR

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
VT6M1T2CR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 100mA 120mW 表面贴装型 VMT6
规格说明书:
VT6M1T2CR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平栅极,1.2V 驱动
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7.1pF @ 10V
功率 - 最大值 120mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装 VMT6
标准包装 8,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
8,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.237202 ¥3.24
10+ ¥2.390286 ¥23.90
100+ ¥1.352444 ¥135.24
500+ ¥0.895497 ¥447.75
1000+ ¥0.686549 ¥686.55
2000+ ¥0.597002 ¥1194.00
8000+ ¥0.537296 ¥4298.37
16000+ ¥0.477601 ¥7641.62

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