AIHD03N60RFATMA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- AIHD03N60RFATMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- -
- 描述:
- IC DISCRETE 600V TO252-3
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 600 V 5 A 53.6 W 表面贴装型 PG-TO252-3-313
- 规格说明书:
- AIHD03N60RFATMA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | Digi-Key 停止提供 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 7.5 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.5V @ 15V,2.5A |
功率 - 最大值 | 53.6 W |
开关能量 | 50µJ(开),40µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 17.1 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 10ns/128ns |
测试条件 | 400V,2.5A,68 欧姆,15V |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3-313 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | ¥8.29000 | 类似 |
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- 卷带(TR)
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