SIDR608DP-T1-RE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIDR608DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET® Gen IV
- 描述:
- MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 45 V 51A(Ta),208A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8DC
- 规格说明书:
- SIDR608DP-T1-RE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 45 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 51A(Ta),208A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 167 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | +20V,-16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 8900 pF @ 20 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 6.25W(Ta),104W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8DC |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥20.221116 | ¥20.22 |
10+ | ¥18.164809 | ¥181.65 |
100+ | ¥14.600011 | ¥1460.00 |
500+ | ¥11.99518 | ¥5997.59 |
1000+ | ¥9.938941 | ¥9938.94 |
6000+ | ¥11.309828 | ¥67858.97 |