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APTSM120AM09CD3AG

Microsemi photo

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制造商编号:
APTSM120AM09CD3AG
制造商:
Microsemi美高森美
系列:
-
描述:
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 1200V(1.2kV) 337A(Tc) 底座安装 模块
规格说明书:
APTSM120AM09CD3AG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microsemi(美高森美)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 337A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11 毫欧 @ 180A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1224nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 23000pF @ 1000V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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