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NTB190N65S3HF
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- 制造商编号：
- NTB190N65S3HF
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- FRFET®, SuperFET® III
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 20A（Tc） 162W（Tc） D²PAK-3（TO-263-3）
- 规格说明书：
- NTB190N65S3HF说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | FRFET®, SuperFET® III |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 430µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1610 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 162W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK-3（TO-263-3） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB21N65M5 | STMicroelectronics | ¥42.31000 | 类似 |
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | ¥40.32000 | 类似 |
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | ¥24.42000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥17.578643 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 800+ | ￥17.578643 | ￥14062.91 |
